сделать стартовой | в избранное | контакты | карта сайта

На главную

Ответы на школьные экзамены
По всем предметам 9 и 11 классов!

ЕГЭ 2011
Все о едином государственном экзамене 2011 года.

Мобильные шпаргалки
По всем предметам!

Готовые домашние задания
Для 10 и 11 классов!

Литература и русский язык:
- Рефераты по литературе
- Сочинения для мобильника
- Изложения (9 класс)
- Биографии писателей и поэтов
- Экзаменационные вопросы по русскому языку
- Хрестоматия по русской литературе
- Рекомендации к письменному экзамену по русскому языку и литературе (сочинение)
- Орфографии и пунктуации
- Скачать изложения
- Шпаргалка по литературе
- Шпаргалка по русскому языку

История:
- Рефераты по истории
- Доклады по знаменитым личностям
- Карты по истории России
- Шпаргалка по истории

Иностранные языки:
- Топики по английскому языку
- Топики по немецкому языку
- Англо-русский словарь
- Шпаргалка по англ. языку
- Полезные материалы

Психологическая подготовка к экзаменам

Коллекция рефератов

Полезное
- Таблица Менделеева
- Единицы измерения
- Гороскоп школьника
- Информация о ЦТ 2008











Список вопросов / Физика - 11 класс
Полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы.

    Полупроводники — это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличием примесей, изменением освещенности. По этим свойствам они разительно отличаются от металлов. Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5—2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. Природа этой связи позволяет объяснить указанные выше характерные свойства. При нагревании полупроводников их атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены соседними атомами, так как все их валентные связи насыщены. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая электронный ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов в кристаллической решетке приводит к образованию положительного иона. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон. Далее, в результате переходов электронов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном — «дырки». Внешне этот процесс хаотического перемещения воспринимается как перемещение положительного заряда. При помещении кристалла в электрическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» — дырочный ток проводимости.
    
     В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается.
    
     На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Допорная примесь — это примесь с большей валентностью. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются липшие электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью n — 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.
    
     Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником р-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью п = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».
    
     Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах р—n-перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и л-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в р-область, а «дырок» — наоборот, из р- в n-область. Этот процесс будет не бесконечным во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок».
    
     р—n-Контакт полупроводников, подобно вакуумному диоду, обладает односторонней проводимостью:
    
     если к р-области подключить «+» источника тока, а к n-области «-» источника тока, то запирающий слой разрушится и р—л-контакт будет проводить ток, электроны из д-области пойдут в р-область, а «дырки» из р-области в n-область (рис. 32).
    
     ответы на экзамен
    
     В первом случае ток не равен нулю, во втором — ток равен нулю. Это означает, что если кр-области подключить «-» источника, а к л-области — «+» источника тока, то запирающий слой расширится и тока не будет. Полупроводниковый диод состоит из контакта
    
     двух полупроводников р- и n-типа ответы на экзамен . Полупроводниковые диоды имеют: небольшие размеры и массу, длительный срок службы, высокую механическую прочность, высокий коэффициент полезного действия, их недостатком является зависимость сопротивления от температуры.
    
     В радиоэлектронике применяется также еще один полупроводниковый прибор: транзистор, который был изобретен в 1948 г. В основе триода лежит не один, а два р—л-перехода. Основное применение транзистора — это использование его в качестве усилителя слабых сигналов по току и напряжению, а полупроводниковый диод применяется в качестве выпрямителя тока. После открытия транзистора наступил качественно новый этап развития электроники — микроэлектроники, поднявший на качественно иную ступень развитие электронной техники, систем связи, автоматики. Микроэлектроника занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения. Интегральной микросхемой называют совокупность большого числа взаимосвязанных компонентов — транзисторов, диодов, резисторов, соединительных проводов, изготовленных в едином технологическом процессе. В результате этого процесса на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, конденсаторов, резисторов и диодов, до 3500 элементов Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. Микропроцессор современной ЭВМ, размещенный на кристалле кремния размером 6x6 мм, содержит несколько десятков или даже сотен тысяч транзисторов.
    
     Однако в технике применяются также полупроводниковые приборы без р—n-перехода. Например, терморезисторы (для измерения температуры), фоторезисторы (в фотореле, аварийных выключателях, в дистанционных управлениях телевизорами и видеомагнитофонами).
    
    
    
    
• Перейти к списку вопросов »





Закачай шпаргалки по всем предметам в свой мобильник! Закачай школьные сочинения в свой мобильник и списывай на уроке литературы!


© 2004 - 2011, НаЭкзамен.ру. All right reserved.
По всем вопросам обращайтесь через форму обратной связи
В компании Остек вы можете купить тестер компонентов для установок электрического контроля. . Электрооборудование фирмы Mersen.

Rambler's Top100